FDG6301N复合场效应管 双N沟道

双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

特性

25 V、0.22 A（连续值）、0.65 A（峰值）。

RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V， 芯片采购平台

RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。

电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。

栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。

紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

FDG6301N数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-323-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 220 mA

Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Dual

Pd-功率耗散: 300 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.1 mm

长度: 2 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: FDG6301N

晶体管类型: 2 N-Channel

类型: FET

宽度: 1.25 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值: 0.2 S

下降时间: 4.5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.5 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 4 ns

典型接通延迟时间: 5 ns

零件号别名: FDG6301N_NL

单位重量: 28 mg

• 效应
• 复合
• FDG6301N
• 沟道