芯片资讯
- 发布日期：2024-06-15 08:22 点击次数：102
特征
●COMPLETE TRANSMITTER + RTD
线性化
●TWO-WIRE，4-20mA输出
●电压输出（0.5V至4.5V）
●消除电位计和
修剪
●数字校准
●5V SUB-REGULATOR OUTPUT
●串行SPI总线接口
●SSOP-24包装
应用
●远程RTD发送器
●压力桥变送器
●应变计变速器
●SCADA远程数据采集
●称重系统
●工业过程控制
描述
XTR108是一款“智能”可编程4-20mA双线
专为温度和桥梁传感器设计的变送器
模拟信号中的零点，跨度和线性化误差
路径可以通过标准数字串行接口校准，
消除手动修剪。非易失性外部EEPROM
存储校准设置。
全模拟信号路径包含输入多路复用器，
自动调零可编程增益仪表放大器，双通道
可编程电流源，线性化电路，电压
参考，子调节器，内部振荡器，控制逻辑和
输出电流放大器。可编程电平转换
补偿传感器DC偏移。可选
上升和下降输出表示每个NAMUR NE43的超出范围和烧坏。自动复位时启动
供应丢失了。
通过多路复用器引导的电流源可以是
用来直接激励RTD温度传感器，压力
桥梁或其他传感器。一个未提交的运算放大器可以
用于将电流转换为电压。 XTR108是
规定在-40°C至+ 85°C。
绝对最大额定值（1）静电
放电灵敏度
ESD可能会损坏该集成电路。 德州仪器（TI）建议使用所有集成电路
适当的预防措施。 未能正确处理
和安装程序可能会造成损害。
ESD损坏可能包括微妙的性能下降
完成设备故障。 精密集成电路可以
因为非常小的参数，更容易受到损坏
更改可能导致设备无法满足其发布
规格。
指明
包装温度包装订购运输
产品包装 - 标志设计者范围标记数量媒体，数量
XTR108EA SSOP-24 DBQ -40°C至+ 85°C XTR108EA XTR108EA导轨
“”“”“XTR108EA / 2K5卷带，2500
PIN分配
PIN名称功能
V / I-0 MUX输入通道0和/或IREF输出MUX输入到PGA和/或IREF到传感器
V / I-1 MUX输入通道1和/或IREF输出MUX输入到PGA和/或IREF到传感器
V / I-2 MUX输入通道2和/或IREF输出MUX输入到PGA和/或IREF到传感器
V / I-3 MUX输入通道3和/或IREF输出MUX输入到PGA和/或IREF到传感器
V / I-4 MUX输入通道4和/或IREF输出MUX输入到PGA和/或IREF到传感器
V / I-5 MUX输入通道5和/或IREF输出MUX输入到PGA和/或IREF到传感器
CFILTER滤波电容滤波器可降低自动调零PGA中的斩波噪声
RLIN线性化线性化范围调整电阻器
VO PGA输出PGA放大的差分传感器输入输出
IIN电流输入到输出电流放大器的输入
IO输出电流输出回路4-20mA电流
所有外部电路电流的IRET返回电流返回
用于XTR和外部电路的VS电压调节器电源电压（如果使用）
外部MOSFET晶体管的VGATE栅极电压栅极电压
CS2片选2选择XTR串口到外部EEPROM（仅从XTR输出）
SDIO串行数据输入/输出串行数据输入或输出
SCLK串行时钟串行时钟
CS1片选1选择外部μC串口（仅输入XTR）
用于参考的RSET电阻设置电流参考
REFIN参考电压输入参考输入到XTR
内部带隙的REFOUT参考电压输出电压参考输出
OPA OUT非专用运算放大器输出未提交运算放大器输出
OPA -IN未提交运算放大器负输入未提交运算放大器负输入
OPA + IN未提交运算放大器正输入未提交运算放大器正输入
概述
XTR108是一款4-20mA电流环路发送器
允许用户以数字方式调整增益，偏移和
模拟输出的线性校正校准
传感器。用于调整的数字数据存储在
外部EEPROM器件。
模拟信号路径由复合多路复用器（MUX），可编程增益仪表放大器组成
（PGA）和输出电流放大器。模拟支持功能包括用于传感器的数字控制电流源
激励，PGA偏移控制，线性化，电压基准和电压调节器。
数字接口与外部设备通信
校准并将结果数据存储在SPI兼容的EEPROM中。完整的系统如图1所示
XTR108串行接口与SPI兼容，仅需要
四个与校准控制器的连接：一个串行时钟
（SCLK），串行数据线（SDIO），芯片选择线（CS1），
和地面感应线。所有逻辑都向XTR108发出信号
必须参考地面感应线的电位
（XTR108上的IRET引脚）。
在整个系统中可能存在三种不同的
“GND”电压电平。另外，电压差
IRET和IO电位之间取决于输出
当前水平。不确定的是“GND”电位
校准系统将具有相同的潜力
IRET或IO电位，因此隔离耦合器是
如图1所示。为XTR108指定的所有电压
参考IRET引脚。
典型特征（续）
除非另有说明，否则在TA = + 25℃时，V + = 24V。 RVI =6.34kΩ。
输入噪声功率密度
1 10 100 1k 10k
频率（Hz）
噪音密度（nV√Hz）
CFILT = 0.01
PGA PEAK-TO-PEAK NOISE（RTI）
5秒/格
1.25μV/ DIV
BW：0.1Hz至10Hz
XTR108还需要与外部通信
EEPROM器件独立于校准控制器，以在正常操作期间检索校准常数。 XTR108提供第二个芯片选择功能
（CS2）用于EEPROM器件以方便这种通信。
运作理论
参考
XTR108具有板载精密带隙电压
引脚21（REFOUT）的输出参考。的价值
参考电压经工厂调整至1.193V，典型温度漂移为5ppm /°C。引脚21（REFOUT）和20（REFIN）
必须连接在一起才能使用内部参考。
外部电路，如电压激励传感器或
模数转换器（ADC），可以连接到
REFOUT引脚。无缓冲的REFOUT能够采购
目前但没有下沉。
如果应用程序需要，可以使用外部引用
连接到XTR108 REFIN引脚，只要参考
不超过1.4V。 REFIN引脚具有高输入
输入电流阻抗不超过几个
纳安。
输入多路复用器
XTR108输入多路复用器是一个完整的6×（2 + 2）交叉点开关。电流参考和PGA输入可以是
独立连接到六个外部引脚中的任何一个，
包括同时连接到同一个引脚。这个
允许传感器激励和输入具有很大的灵活性
组态。输入引脚不得低于
IRET潜力或高于VS.
有关连接到引脚VIN0的RTD传感器，请参见图2
提供IREF和PGA VIN +在该引脚上检测到。该
其他五个输入引脚用于一组RZ电阻器
可以在特定的校准过程中选择
测量范围。
可编程增益
仪表放大器
可编程增益仪表放大器有七个
电压增益设置以二进制步长从6.25V / V到400V / V.
PGA的输入共模范围为0.2V至3.5V
高于IRET潜力。
通常，在4-20mA变送器的应用中，
PGA输出电压范围应设置为VZERO = 0.5V和
VFS = 2.5V。在两者之间连接一个电阻（RVI =6.34kΩ）
引脚9（VO）和引脚10（IIN）将此电压转换为信号
用于产生4-20mA标度的输出放大器
电流输出。在此模式下，PGA电压增益会转换
在50mA / V至50mA / V范围内的整体跨导
3200mA / V（约）。表I显示了增益
跨导关系。
如果禁用超量程和欠量程限制，则为PGA
可用于轨到轨电压输出，例如，
需要0.5V至4.5V电压范围的应用。
PGA采用先进的自动归零电路技术来实现
高DC精度，减少内部的不匹配和误差
芯片如输入偏移，偏移温度漂移和低频噪声（参见输入噪声典型特性）。
自动调零循环的基本时钟频率约为
6.5kHz。由于自动归零电路的开关特性，
PGA的输出可以在更高的增益中具有明显的时钟馈通纹波。这种噪音可以减少
在引脚7（CFILTER）之间增加一个0.01μF电容
和本地接地，引脚12（IRET）。这创造了一个单极
低通滤波器，-3dB频率，约1.5kHz。如果
CFILTER需要更宽的带宽或更快的建立时间
可以减少或消除，但代价是更高的故障
输出幅度。请参考典型步骤
用于建立时间比较的响应曲线。
ZERO DACS
两个输出参考，8位数模转换器
（DACs）（粗略和精细的基座）设置零级别
PGA输出。它们允许设置所需的零刻度
输出电平并补偿PGA输入的初始偏移
由于传感器和电阻不匹配，传感器不理想等，粗调和精调DAC都是双向的
允许将输出电平设置为高于或低于预设值
基座上。
DAC的输出信号，IZ COARSE和IZ FINE是
总结基座，IZ PROGRAM。每个DAC
具有8位分辨率（256步），4位重叠
粗略和精细的DAC。这意味着一个LSB
粗DAC等于16个精细LSB，并满量程
精细DAC的范围等于16个粗略LSB。这个
有效地产生12位调整分辨率。
该重叠允许用户设置预先计算的值
在校准之前，仅使用粗调DAC并进行调整
在校准过程中使用精细DAC的零输出电平参见表II中的计算公式
施加零差分电压时的输出值
在PGA输入。对于调整范围，LSB大小和
零DAC的线性度值，请参考
电气特性表。
请注意，DAC可以设置为产生的值
输出低于规模以下的水平。在这种情况下，欠尺度限制将阻止输出达到所需
值。不应设置最小比例的值
PGA电压输出VO低于IRET指定的0.2V范围。
可调整的超大规模
超限电路
XTR108采用电路设置可调极限
传感器信号高于或等时的输出
低于其范围。
该电路的设计符合NAMUR NE43
建议传感器接口。限制水平是
列于表VII和VIII中。由于步长大，
如果值为，则应检查使用此功能的单位
危急。欠量程限制电路将覆盖零点
DAC电平如果设置得较低且传感器不足
PGA输入的偏移量。
如果使用XTR108，可能需要禁用限制
在4-20mA变送器以外的应用中，其中
PGA输出介于0.5V和4.5V之间。
传感器故障检测电路
为了检测传感器烧坏和/或短路，一组四个比较器连接到PGA的输入。如果有的话
输入取自PGA的共模范围，
相应的比较器设置一个传感器故障标志
使PGA输出变为上限或下限
错误限制。可以在中读取故障状态
寄存器3的数字形式。模拟的方向
输出根据“报警配置寄存器”设置（参见表X）。输出的级别为
如下：如果启用了超量程/欠量程限制，则
错误级别为：超量程限制+超出规模的2LSB
DAC，大约1mA称为IOUT或0.125V称为VO，
低于标准DAC的欠量程限制-2LSB，约为
0.4mA参考IOUT或0.05V参考VO。如果禁用超量程/欠量程限制，则PGA输出电压将达到正负150mV以内
供电（VS或IRET），具体取决于报警配置
对应于错误条件的位。
输出电流放大器+ RVI电阻器
为了产生4-20mA输出，XTR108使用电流
放大器，固定增益为50A / A.来自的电压
PGA通过外部电阻RVI转换为电流。销
IRET，电路的共同潜力（基板和局部电路）
接地），连接到输出和反相输入
放大器。这允许收集所有外部和内部
电源电流，传感器返回电流和漏电流
从系统的不同部分和占
它们在输出电流中。来自RVI的电流流入
引脚IIN连接到同相输入和
因此，也处于地面潜力。比例为两个
电压引用VO PIN
关于IRET电流引用IOUT PIN
总体VZERO = VZ程序+ VZ粗略+ VZ精细IZERO = IZ程序+ IZ粗略+ IZ精细
程序V V Z程序REF = 3 5
注意：N13和N12分别被赋予寄存器13和12的十进制值。
表二。计算零输出的方程。
匹配的内部电阻决定了它的电流增益
块。请注意，IOUT引脚总是偏置低于
衬底潜力。
励磁电流DAC和RSET电阻
两个匹配的可调参考电流源可用于传感器激励。给出了定义方程
在表III中。两个电流源均由带有基座的粗调和精调DAC同时控制。
外部电阻RSET用于转换REF电压
进入传感器激励DAC的参考电流。
DAC的总电流输出被分开，产生两个
参考：IREF1和IREF2。两个当前的参考
在没有完全调整范围的情况下非常接近
不匹配的差分步骤。两个电流参考输出必须在合规范围内，即：一个参考
不能浮动，因为它会改变另一个的价值
电流源。
RSET的推荐值为12.1kΩ
100ΩRTD传感器。这会产生IREF1,2 =492μA电流
当粗调和精调DAC都设置为零时。价值
如果参考电压较低，则可以增加RSET电阻
需要电流，即：1000ΩRTD或电桥
传感器。
类似于零DAC，精细和粗略的输出
DAC与基座IREF程序一起求和。
每个激励DAC具有8位分辨率（256级）
粗和细之间有4位重叠。这个
表示粗调DAC的一个LSB等于16精细
LSB和精细DAC的满量程范围等于16
粗LSB。这有效地产生12位调整
解析度。这允许用户设置预先计算的值
在校准之前，仅使用粗调DAC并进行调整
参考电流输出电平与精细DAC期间
校准过程。
线性化电路和RLIN电阻
XTR108包含用于校正二阶传感器非线性的电路。电流与电流成正比
PGA输入端的电压加到传感器上
激发。 RLIN电阻用于转换该电压
进入当前。通过使用适当缩放此电流
线性化DAC，抛物线传感器非线性可以
最高可达40：1的比例，Belling(上海贝岭)半导体IC芯片系列 如图3所示
线性化系数（参考电流变化的比率）
输入电压）以μA/ mV表示如下：
其中N14是寄存器14的十进制值。
推荐使用的电阻值为15.8kΩ
带有100ΩRTD传感器。该值产生满量程
线性化系数约为1mA / V.请看看
以下部分使用XTR108和RTD温度传感器。如果传感器激励按比例缩小
增加RSET的值，RLIN的值应该是
按比例缩放。
具有外部MOSFET的子调节器
XTR108采用低压CMOS制造
最大电源电压限制在5.5V的过程。对于
应用于4-20mA电流回路，一个特殊的子调节器
电路包含在需要外部的设备中
n沟道耗尽型MOS晶体管和三个电容，见图2。
许多第三方供应商生产n沟道耗尽型MOSFET。德克萨斯州测试的设备列表
Instruments，Inc。在表IV中显示了电容器
建议用于这些设备的值。
电容器CLOOP（0.01μF），CREG（2.2μF）和CGATE
是稳压环路稳定性和供电所必需的
旁路。它们应放置在靠近的地方
PCB上的XTR108。额外的1μF电容可能是
用于绕过EEPROM芯片的供电。
如果使用表IV中列出的MOSFET以外的MOSFET，则
应调整CGATE的价值，使其没有
上电期间VS的过冲和电源故障。任何
VS过冲高于7.5V可能会损坏XTR108或
恶化其表现。
循环电压
XTR108变送器的最小环路电压可以通过选择外部MOSFET来实现。该
器件经过测试，符合Supertex DN2540的7.5V标准;
选择其他MOSFET可以稍微改变这个值。
最大环路电压受MOSFET的功耗和击穿电压限制。
可能的环境温度和功耗
选择MOSFET时应考虑到这一点
包。在高回路电源下运行时，外部MOSFET可以耗散相当大的功率。对于
例如，如果VLOOP = 24V且IOUT = 20mA，则为直流电源
MOSFET耗散的是：
PMOSFET = IOUT（VLOOP - VS）=380mΩ
对于焊接在FR5板上的SOT-89封装，这将是
导致温度上升30°C。功耗
当电路被驱动到电路时，电阻会显着提高
超规模的情况。因此，应特别注意
特别是，从MOSFET中去除热量
采用SOT-89和TO-92等小尺寸封装。
请遵循制造商的建议
封装热特性和电路板安装。
安排的运营商
为了在各种应用中增加灵活性，XTR108
有一个片上未提交的运算放大器。操作
放大器有轨到轨
未提交的放大器可用于各种
目的，如电压传感器激励，缓冲等
REFOUT引脚，四线RTD连接或感应
用于温度补偿的桥电压。
POWER-GOOD / POWER-ON RESET
如果供电中断或短暂中断，
XTR108电源良好检测电路将启动芯片
复位将导致所有寄存器复位为0和一个周期
EEPROM读取开始。如果，电路会产生复位
VS下降到1.5V以下，然后恢复正常
水平。
在电压输出模式下使用XTR108
XTR108不仅可用于4-20mA电流回路，
而且作为具有电压输出的低功耗，单电源，“智能”传感器调节芯片。在这种模式下，
IRET引脚必须连接到地下
（-200mV <IRET <-25mV）。这个负电压是
需要克服输出的输入偏移电压
电流放大器，防止它开启和绘图
电流过大。一个生成它的应用程序电路
使用XTR108时钟输出和a的负电压
简单的电荷泵显示在应用部分。
具有外部MOSFET的子调节器可以使用也可以不使用
使用。如果电路由外部供电，则供电
电压必须在5V±0.5V的范围内。
控制寄存器
表V列出了控制模拟功能的寄存器
XTR108。
控制寄存器的描述
控制寄存器1
如果在写操作中RST位设置为'1'，则全部为
XTR108中的寄存器将返回上电状态
重置条件。 RST位始终读为0。 CSE，
校验和错误位是只读的，如果是，则将设置为“1”
检测到校验和错误。该位由a清除
重置操作或检测有效的校验和。该
其余位保留，必须设置为“0”。
故障状态寄存器
该寄存器是只读寄存器。如果输入电压为
PGA超出了XTR108的线性工作范围
将指示此错误情况（通常由a引起）
传感器故障）通过设置欠量程或超量程误差
级别取决于警报配置的状态
有关故障性质的信息
可以从该寄存器以数字形式读取，如图所示
表六。其余位将设置为“0”。
控制寄存器2
如果RBD位设置为'1'，则自动回读
有效校验和字节后，EEPROM将被禁止
在寄存器15中接收该位。从EEPROM读取该位
在XTR108的回读期间，允许用户进行回读
编程XTR108以读取EEPROM数据一次
（而不是连续），然后禁用自动
回读功能。 XTR108将不断读取
如果RBD设置为“0”，则为EEPROM。剩下的这一点
寄存器必须设置为“0”。
超规模和小规模注册
该寄存器设置超量程电流的大小
极限和欠量程电流限制的大小。该
阈值水平，如表VII和VIII所示，是
正常模拟（无错误条件）输出限制。如果输入
PGA的电压超过线性工作范围
输出将被编程为超量程误差
等级或低于标准的错误等级。超尺度误差
电平比过大的阈值电平大10mA。
欠量程误差水平比欠尺度阈值水平低0.4mA。 FD位将禁用超量程
和欠量程限制功能以及PGA故障
指示错误级别。
PGA增益寄存器
该寄存器设置可编程增益放大器的增益。未使用的位必须始终设置为“0”。增益步骤
报警配置寄存器
该寄存器用于配置XTR108在各种检测到的故障条件下是否会超量程或欠量程
PGA的输入
如果对应于特定错误的位被设置为“1”，则
当输出发生时输出将超量程，如果对应于特定错误的位设置为“0”，则输出将为
规模不足。
PGA输入配置寄存器
该寄存器将PGA的输入连接到各种输入
多路输入引脚。表XI和XII显示了寄存器，内容和PGA输入之间的关系。
IREF输出配置寄存器
该寄存器将参考电流连接到各种参考电流
多路输入引脚。 IREF连接代码在
精细IREF调整寄存器
该寄存器将代码设置为可调节的8位精细DAC
两个参考电流的大小。 DAC输出
值具有双极性范围（对于每个参考电流）和
可以使用表III中的等式计算。
粗略IREF调整寄存器
该寄存器将代码设置为调整的8位粗调DAC
两个参考电流的大小。名义价值
用于参考电流（Coarse和Fine调整设置为'0'）
是IPROGRAM•5。有关公式，请参见表III。
精细调零寄存器
该寄存器将代码设置为可调节的8位精细DAC
零输出电流的大小。方程是
表二给出。负数是二进制二
补充。
粗调零调整寄存器
该寄存器将代码设置为8位粗调DAC
调整零输出电流的大小
对于方程式。二进制二中给出负数
补充。
线性化调整寄存器
该寄存器将代码设置为8位DAC，用于调整
线性化反馈电流的大小。价值是
单极到255。
校验和寄存器
该寄存器包含用于的校验和字节
验证从EEPROM读取的数据。如果发生写入
对于该寄存器，并且校验和无效，将设置错误条件（CSE ='1'）。如果校验和有效，则出错
条件将被清除（CSE ='0'）。
如果检测到校验和错误，XTR108将编程
本身到最低规模误差水平。
串行接口
协议
XTR108具有SPI兼容的串行接口。该
数据首先以8位字节发送。第一个字节是
一个指令字节，其中第一位是读/写标志
（'0'=写，'1'=读），最低的四位是寄存器
地址和剩余的三位设置为零。该
第二个和所有连续的字节都是数据。在写作期间
操作时，连续的数据字节被写入连续的
在XTR108内注册。地址是自动的
在每个字节完成时递增。 SDIO系列
在写操作期间始终是输入。在阅读期间
操作时，SDIO线成为输出
第二个和连续的字节。就像写一样
操作时，地址自动递增
完成每个字节。每个通信交易都是
CS1取消置位时终止。 CS2线仍然存在
在读写操作期间取消置位。
校准控制器还需要能够读取
并写入外部EEPROM器件。这是通过发送特殊指令代码（0x7F）来实现的
XTR108。在完成该指令字节时，
XTR108将置位CS2线以选择EEPROM
设备并忽略SDIO线上的所有数据，直到CS1置为无效并重新置位。当CS1被置低时，CS2线也将被置为无效。这允许校准控制器与EEPROM设备通信
直。校准控制器然后控制
将数据写入EEPROM器件所需的时序。
在正常操作中，XTR108从EEPROM读取数据
用于检索校准系数的设备。这是由XTR108上的回读控制器完成的。回读控制器由片内振荡器提供时钟，并通过SCLK，SDIO为EEPROM器件提供激励，
和CS2线执行读操作，同时为串行接口控制器提供激励
XTR108。回读控制器默认为活动状态
当XTR108上电并持续运行时
除非已禁用
提供控制位（RBD）以允许XTR108读取
EEPROM一次然后停止。
回读控制器将中止回读操作
当CS1线被断言时。校准控制器
将CS1线设置为低电平后，必须至少等待40μs
在SCLK的第一个上升沿发生之前。
用于外部控制器直接写入XTR108
（传感器校准操作）或将数据加载到EEPROM中，
有必要中断默认的回读模式。对于
这两种模式都必须反转SCLK方向。
首先是SCLK
必须将线拉低至少20ns（t10）。然后是CS1
设置为低。 XTR108将DIO设置为三态
20ns（t13）和CS2 HIGH在50ns（t12）内。经过一段时间的延迟
至少40μs（t11），外部系统
EEPROM数据存储
XTR108自动从SPI兼容的EEPROM器件读取数据。 MicroChip的25C040型号
而Atmel的AT25010已经过测试
已知工作。具有SPI接口的等效器件可以
期待工作。 XTR108将从中读取数据
地址4到15的EEPROM。地址在
EEPROM与相应的地址相同
XTR108中的数据。 XTR108不会将数据写入
EEPROM。外部校准控制器负责
用于将数据写入EEPROM。
CHECKSUM功能
要验证来自EEPROM器件XTR108的数据
计算传入串行数据流的校验和
在每次写操作期间。写入EEPROM的值
在EEPROM读取期间将被传送到寄存器15
操作必须使寄存器4中的数据总和
通过15总计0xFF（255）。总和的计算方法是
对所有数据执行添加/累加功能
读操作的字节数。在期间使用末端运载
添加/累积操作。如果产生了结转
在之前的添加操作中，它被用作下一个的进位
为校验和操作添加操作。以下代码
显示了如何计算寄存器15的值：
Sum = 0
索引= 4至14
Sum = Sum + Data [Index]
如果总和> 255那么
Sum = Sum - 255
下一个索引
数据[15] = 255 - 总和
对于测试或校准操作，可能需要
写入几个选择寄存器。这可以完成
无需写入寄存器15.要完成此操作，请写入
必要的寄存器并释放CS1。没有必要
更新寄存器15。
如果命令是通过设置寄存器4中的RDB位来禁用自动回读功能，则必须执行此操作
用正确的校验和重写整个寄存器集数据
寄存器15中的值。自动回读模式将是
成功校验和操作后禁用。
XTR108时也会清除校验和错误标志
复位（即：通电时）。写操作没有
写入校验和寄存器对该函数没有影响
校验和错误标志。通过查找校验和寄存器
最后一个配置寄存器，包括校验和
在EEPROM读操作中注册，数据被验证
通过校验和功能。
EEPROM数据安全
由于EEPROM中的数据直接影响模拟
XTR108的输出，EEPROM中的数据需要
防止意外写入操作。 SPI EEPROM器件在其中一个引脚上具有写保护功能。一个
与校准控制器的额外连接将是
如果写保护引脚用于防止意外，则需要
写操作。 SPI EEPROM器件需要特殊的
写入启用指令以执行写入数据
EEPROM。这不太可能是偶然的
写入EEPROM器件，然后是a
有效的写操作。进一步的安全性可以通过
使用具有内部写保护的SPI EEPROM器件
控制位。这些位是非易失性的，必须清零
在允许写入操作之前。
浪涌保护
有时可以远程连接到当前的发射器
受到电压浪涌。限制这种做法是明智的
施加到XTR108的最大浪涌电压
齐纳二极管和专门设计的浪涌钳位二极管
以此目的。由于XTR108上的最大电压
环路受外部MOSFET击穿电压的限制，
通常超过200V，要求夹紧
设备不是很严格。例如，50V保护
二极管将确保在正常环路下正确的发射器操作
没有明显泄漏的电压仍能提供适当的电压浪涌保护。的情况下
延长（秒和更长）过压，降低电压
钳位可用于限制功率消耗
发射机。
大多数浪涌保护齐纳二极管在正向方向上具有二极管特性，导致过量
如果电流可能会损坏接收侧电路
循环连接是相反的。如果是浪涌保护二极管
使用时，应使用串联二极管或二极管桥
防止反向连接。
反向电压保护
XTR108的低合规等级（7.5V）允许
在不影响工作范围的情况下使用各种电压保护方法。图8显示了二极管桥
即使电压连接线反转也能正常工作的电路。桥梁导致两个
环路电源电压的二极管压降（约1.4V）。这导致顺应电压约为
9V-满足大多数应用。如果1.4V环路下降
供电太多，二极管可以串联插入
环路电源电压和V +引脚。这可以防止
反向输出连接线，回路损耗仅为0.7V
电源电压。
无线电频率干扰
线长很长