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标题:SK海力士H5AN8G8NCJR-VKC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士的H5AN8G8NCJR-VKC DDR储存芯片是一款广泛应用于各类电子产品中的关键组件。这款芯片以其卓越的性能、稳定的运行以及长久的耐用性,赢得了业界的广泛赞誉。 首先,我们来了解一下H5AN8G8NCJR-VKC芯片的基本技术特性。这款芯片采用的是DDR(双倍数据率)内存技术,这意味着它能以极快的速度处理数据,大大提高了系统的整体性能。此外,这款芯片采用了先进的生产工艺,保证了其在各种极端环境下的
韩国SK海力士(SK Hynix Co.)周三表示,该公司第四季度扭亏为盈,因全球芯片市场因需求疲软和供过于求而放缓。 SK海力士公布第四季净亏损3.52万亿韩元,因需求疲弱。 这家全球第二大存储芯片制造商在截至去年12月的三个月里录得运营亏损1.7万亿韩元,而去年同期的运营利润为4.2万亿韩元。其净亏损为3.52万亿韩元,而去年同期的净利润为3.31万亿韩元。第三季度销售额下降37.8%,至7.69万亿韩元。 这是自SK集团2012年收购海力士以来最大的季度亏损。 SK hynix的大部分利
标题:SK海力士H5AN8G8NAFR-UHC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士,作为全球领先的半导体公司之一,一直致力于研发和生产高质量的DDR储存芯片。最近,我们推出了一款型号为H5AN8G8NAFR-UHC的DDR储存芯片,其出色的性能和卓越的技术特点,使其在市场上独树一帜。 H5AN8G8NAFR-UHC是一款高速DDR3L SDRAM芯片,它采用了先进的内存技术,具有极高的数据传输速率和稳定性。这款芯片采用了SK海力士自主研发的先进生产工艺,确保了其卓越的性能和可靠性。
标题:SK海力士H5AN8G6NDJR-XNC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士的H5AN8G6NDJR-XNC DDR储存芯片是一款高性能的内存芯片,以其出色的性能和可靠性在市场上获得了广泛的应用。本文将介绍这款芯片的技术特点、方案应用以及其市场前景。 一、技术特点 H5AN8G6NDJR-XNC芯片采用了DDR(双倍数据率)内存技术,这意味着它可以在单位时间内处理更多的数据,大大提高了系统的运行速度。此外,这款芯片采用了先进的生产工艺,具有极低的功耗和发热量,能够适应各种严苛
随着科技的飞速发展,储存芯片在各个领域的应用越来越广泛。SK海力士公司推出的H5AN8G6NDJR-VKD DDR储存芯片,凭借其出色的性能和稳定性,在市场上赢得了广泛的关注。本文将对这款芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 1. 高速度:H5AN8G6NDJR-VKD DDR储存芯片采用最新的DDR技术,具备极高的读取和写入速度,能够满足各种高负荷工作场景的需求。 2. 高容量:该芯片采用先进的储存技术,具有极高的储存容量,能够满足大规模数据存储的需求。 3. 高稳定性:该芯片经
标题:SK海力士H5AN8G6NDJR-VKC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士公司,全球领先的半导体制造商,近日发布了其新型H5AN8G6NDJR-VKC DDR(双倍数据率同步)储存芯片。这款芯片以其高效能、低功耗和长寿命等特点,正逐渐改变我们的日常生活。 首先,我们来了解一下H5AN8G6NDJR-VKC DDR储存芯片的技术特点。这款芯片采用了SK海力士最新的DDR技术,具有高速的数据传输速度和优秀的电源稳定性。它支持双通道接口,最高工作频率可以达到400MHz,数据传输
近日,安森美半导体宣布,已成功收购GlobalFoundries位于东菲什基尔的300毫米晶圆厂EFK),美国纽约州,自2022年12月31日起施行。此次交易为安森美半导体团队增加了1000多名世界级的技术专家和工程师。 2019年4月,安森美半导体与GF宣布达成协议,收购GF位于East Fishkill的300mm晶圆。美国纽约,总价值4.3亿美元(约合人民币29.35亿元),其中1亿美元已签署最终协议支付,3.3亿美元将在2022年底付清。 根据协议,安森美半导体可以在几年内增加该工厂的
随着科技的飞速发展,电子设备的功能越来越丰富,性能越来越强大,而作为其核心组成部分之一的储存芯片,其技术也在不断进步。SK海力士H5AN8G6NDJR-VK DDR储存芯片便是其中的佼佼者。本文将详细介绍SK海力士H5AN8G6NDJR-VK DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术介绍 SK海力士H5AN8G6NDJR-VK DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的芯片,其采用先进的DDR技术,具有高速、低功耗、易用性好等特点。具体来说,该芯片采用双倍数据率技术,可以实现更高的数据传输速率,
标题:SK海力士H5AN8G6NCJR-XNI DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士的H5AN8G6NCJR-XNI DDR储存芯片是一款高性能的内存芯片,它以其出色的性能和稳定性在市场上占据了重要的地位。本文将详细介绍这款芯片的技术特点和应用方案。 一、技术特点 H5AN8G6NCJR-XNI DDR芯片采用了先进的DDR3内存技术,具有高速的数据传输速率和高精度的时钟控制。它的工作电压为1.2V,功耗较低,适用于各种需要高速度、低功耗的设备。此外,该芯片采用了先进的生产工艺,具有
The Elec 2月20日报道,SK海力士本月在DRAM晶圆生产过程中遭遇一起工艺事故,原因是SK trichem的锆(Zr)基高K材料(也称为前驱体)存在质量问题。受此影响,数台SK海力士相关生产设备暂时停止运转。 SK海力士表示,“我们立即采取了清洁等措施,因此没有对生产造成损害。” 但据称正在考虑就设备停产、更换零部件等部分损害按照合同条款要求赔偿。据了解,SK海力士已停止从SK Trichem采购材料,直至问题解决。 对此,SK Trichem 解释称,一些问题生产线的材料采购已经减