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安森 相关话题

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标题:onsemi安森美NGTB40N120IHRWG芯片IGBT 1200V 80A 384W TO247的技术和应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其NGTB40N120IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于各种电子设备中。该芯片具有1200V的耐压,80A的电流容量和384W的功率,封装形式为TO247,具有广泛的应用领域和出色的性能表现。 技术特点: 1. 耐压高达1200V,适用于需要高电压场合的电子设备。 2. 电流容量为80A,
标题:onsemi安森美NGTG35N65FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3技术与应用介绍 安森美(onsemi)作为全球知名的半导体公司,其IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3芯片以其独特的特性,在电力电子领域中发挥着重要的作用。这款芯片采用先进的工艺技术,具有高效率、高可靠性、低损耗等特点,适用于各种电力电子设备中。 技术特点: 1. 芯片采用TO247-3封装形式,具有较高的耐压和电流容量,适用于大功率应用场景。 2
标题:onsemi安森美FGB3056-F085芯片:ECOSPARK IGNITION IGBT技术与应用详解 安森美(onsemi)的FGB3056-F085芯片,一款ECOSPARK IGNITION IGBT,凭借其高效能、低损耗和易于使用等特点,正逐步在市场上崭露头角。本篇文章将详细介绍这款芯片的技术特点、应用领域以及其在各类设备中的优势。 技术特点: 1. 高效率:ECOSPARK IGNITION IGBT的安森美FGB3056-F085芯片采用了先进的IGBT技术,可在高负荷下
标题:onsemi安森美FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商,其FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK是一款高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。 FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK采用了先进的半导体技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其采用独特的field stop技术
标题:onsemi安森美FGA3060ADF芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGA3060ADF芯片是一款具有创新性的IGBT(绝缘栅双极晶体管)技术,专为高效率、高功率转换应用而设计。这款芯片具有60A的输出电流,以及高达600V的耐压,使其在许多电子设备中具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理和特性。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有开关速度快、通态电压低等优点,因此在变频电源、电机驱动、太阳能光伏等领域有着广泛的应用。而安森美FGA3060ADF
标题:onsemi安森美FGB3040G2-F085C芯片ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263技术与应用介绍 onsemi安森美FGB3040G2-F085C芯片,一款采用ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263封装技术的优质IGN-IGBT。该芯片以其高效、可靠的性能,广泛应用于各种电子设备中,尤其在电力电子领域中发挥着重要作用。 ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263封装技术具有紧凑的尺寸和良好的热导性能,使得FGB3040G2-F085C芯片在各种严苛的工作
标题:onsemi安森美ISL9V2040D3ST芯片IGBT 430V 10A TO252AA的技术与应用介绍 onsemi安森美ISL9V2040D3ST芯片是一款高品质的IGBT模块,适用于各种电子设备,如电源转换器、电机驱动器、变频器等。它采用TO252AA封装,具有高耐压、大电流和高效率的特点,适用于高功率应用场景。 ISL9V2040D3ST芯片采用先进的半导体技术,具有极低的导通电阻,使得芯片在高温和高压条件下仍能保持高效运行。此外,它还具有快速开关特性,使得在切换过程中产生的电
标题:onsemi安森美FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3技术与应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3是一种高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该芯片的技术特点、应用领域以及使用注意事项。 一、技术特点 FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3采用先进的半导体工艺技术制造,具有高耐压、大电流、
标题:onsemi安森美FGD2736G3-F085芯片:ECOSPARK3 IGN-IGBT TO252技术与应用详解 安森美半导体FGD2736G3-F085芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,采用ECOSPARK3封装技术,适用于各种工业和电源应用。ECOSPARK3封装是一种紧凑、高效且易于使用的封装,特别适合于需要高功率密度和高热性能的应用。 ECOSPARK3封装具有高导热性能,能够提供优异的热性能,同时保持低的外形尺寸和重量,使其成为许多应用的首选。此外,该芯片还
标题:onsemi安森美HGTD1N120BNS9A芯片:高性能IGBT技术与应用解析 安森美(onsemi)HGTD1N120BNS9A芯片是一款高性能的1200V IGBT(绝缘栅双极晶体管)组件,具有5.3A和60W的功率输出。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域,在电力转换和电子设备中发挥着关键作用。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体器件,具有开关速度快、输入输出电容小的优点,广泛应用于电力电子领域。安森美HGTD1N120BNS9A芯片的出色性能得