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安森 相关话题

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标题:onsemi安森美MGP7N60E芯片IGBT,10A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体公司,其MGP7N60E芯片IGBT以其出色的性能和广泛的应用领域,赢得了业界的广泛赞誉。这款芯片具有10A的电流容量和600V的电压规格,适用于各种电子设备中。 MGP7N60E芯片IGBT采用了先进的N-CHANNEL技术,具有高输入阻抗和快速的响应时间。这使得它能有效地传递电力,同时降低了损耗,提高了设备的效率。此外,该芯片还具有优良的开关特性
标题:onsemi安森美MGP4N60ED芯片IGBT,6A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美MGP4N60ED芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有6A,600V的规格,适用于各种电子设备中。这款芯片具有出色的性能和广泛的应用领域。 技术特点: 1. 6A,600V的规格,适用于高电流和高电压的应用场景。 2. N-CHANNEL设计,使得芯片具有更快的开关速度和更低的导通电阻。 3. 采用了先进的工艺技术,具有更高的可靠性和更长的使用寿命。 应
标题:onsemi安森美SGB8206NSL3G芯片IGBT D2PAK 350V 20A的技术与应用介绍 onsemi安森美半导体是一家全球知名的半导体解决方案提供商,其SGB8206NSL3G芯片IGBT D2PAK 350V 20A是一种高效、可靠的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。 SGB8206NSL3G芯片IGBT D2PAK 350V 20A采用先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其内部结构采用多个IGBT模块,能够承受较高的电压和电流,同时具有较高的开关速
标题:onsemi安森美TIG032TS-TL-H芯片:NCH IGBT 180A 400V 2.5V的技术与应用详解 onsemi安森美TIG032TS-TL-H芯片是一款高性能的NCH IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,具有180A的电流容量和400V的耐压。该芯片采用先进的半导体技术,具有高效、节能、环保等优点,广泛应用于各种电子设备中。 技术特点: 1. 高电流容量:TIG032TS-TL-H芯片的电流容量高达180A,能够满足大功率应用的需求。 2. 高耐压:芯片的耐压为400V,能
标题:onsemi安森美TIG030TS-TL-E芯片:LIGHT-CONTROLLING FLASH的技术和应用介绍 onsemi安森美TIG030TS-TL-E芯片是一款专为LED照明市场设计的LIGHT-CONTROLLING FLASH,凭借其高效能、低功耗、高可靠性和易用性,在LED控制领域占据一席之地。 技术特点上,TIG030TS-TL-E芯片采用先进的FLASH存储技术,支持多种LED照明模式,包括恒流、调光和定时等。其内置的高速处理器能够实时处理数据,确保照明效果与用户需求高
标题:onsemi安森美FGY100T120RWD芯片:1200V,100A TRENCH FIELD STOP VI的技术与应用详解 安森美半导体FGY100T120RWD芯片是一款高性能的1200V,100A TRENCH FIELD STOP VI器件,其卓越的技术特点和广泛的应用领域使其在电力电子领域中占据了重要地位。 首先,FGY100T120RWD芯片采用了先进的沟槽场板技术(Trench Field Stop),这种技术能有效降低器件的体二极管电压和电流,从而减少器件的功耗和热阻
标题:onsemi安森美FGH4L50T65MQDC50芯片:第六代技术FIELD STOP的实力与应用 在电子技术的飞速发展中,onsemi安森美作为业界领先的生产商,始终以创新为核心,为我们带来了众多高性能的芯片。今天,我们要重点介绍的是安森美FGH4L50T65MQDC50芯片,这款芯片以其第六代技术FIELD STOP而备受瞩目。 FGH4L50T65MQDC50芯片是一款高性能的功率半导体器件,采用先进的650V技术,具有高耐压、低损耗、高可靠性的特点。其第四代技术FIELD STO
该驱动器电路参考设计是为少量(大约2至6个)LED供电的理想选择。优势包括5.7cm x 3.1mm的小PCB尺寸,宽输入和输出电压范围以及可选的调光功能。 在今天的文章中,我们将讨论安森美半导体的高亮度LED SEPIC驱动器参考设计。有关超出本文章范围的详细信息,请参考设计说明DN06031 / D。该驱动器电路参考设计是为少量(大约2至6个)LED供电的理想选择。优势包括5.7cm x 3.1mm的小PCB尺寸,宽输入和输出电压范围以及可选的调光功能。 LED驱动器电路围绕ON Semi
标题:onsemi安森美FGH75T65UPD-F085芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其FGH75T65UPD-F085芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),适用于各种电子设备,如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。该芯片具有650V的电压耐压,可承受高达150A的电流,以及375W的功率输出,适用于大功率的电子设备。 该芯片采用TO-247AB封装,具有优良的热性能和电气性能,能够有效
标题:onsemi安森美FGH4L40T120LQD芯片:技术、应用及特性解析 随着电力电子技术的飞速发展,onsemi安森美FGH4L40T120LQD芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了业界关注的焦点。这款芯片是一款1200V、40A的FSIII IGBT,具有低VCESAT(饱和电压)的特点,为现代电力电子应用提供了强大的支持。 技术特点: 1. 高压性能:FGH4L40T120LQD芯片能够在1200V的电压平台上工作,为大型电源系统,如电动汽车和可再生能源系统,提供了强大的功率