5分钟弄懂！MOS管及简单CMOS逻辑电平电路
2024-09-18现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。 01MOS管 MOS管又分为两种类型：N型和P型。 如下图所示： 以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地，称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。 对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通，栅极5要加低电平。 在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导
功率mos管为何会被烧毁？
2024-09-18mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因： 过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；
MOS管各项参数，你都掌握了吗？
2024-09-17最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以
如何用万用表快速测量MOS管的好坏？
2024-09-15电子商城官方网站今天带来的文章内容很简单，也很简短，但却很实用。 以NMOS举例，只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。 NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管，方向为S到D，利用二极管单向导电性以及MOS管导通时寄生二极管截止的特性，可以快速测量MOS好坏。1、测量之前将MOS的3个极短接，可以用一根铁丝，泄放MOS管内部电荷，确认MOS管是关闭状态。 短接释放电荷确保MOS截止2、将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极，这时寄生二极管是导通状态，万用表会显示电压值
单片机管脚驱动mos管电路图及原理
2024-09-05中国电子元器件产业网小编先了解一下单片机驱动mos管电路图及原理，单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。 如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。常用的信号传送有PC923、PC929、6N137、TL52
MOS器件作为电容来使用，电容的值应该由什么决定
2024-09-01电容在电路设计中是一个基本又必不可少的部分，除了作为旁路，滤波，去耦或隔直等作用，在一些电路中也可以作为运算电路单元，完成信号的存储和传递。在集成电路设计中，电容的实现方式主要有MIM、PN结电容、Metal寄生电容和MOS电容等。 我们都知道零点和极点的相互作用对于一个系统的稳定性非常重要。对于一个amplifier来说，它俩直接决定了amplifier的UGF和PM等参数，如何进行补偿就非常考验模拟IC工程师的能力了。其中一个方法就是为系统引入一个特定频率的零点，从而去消除掉该频率点的一个
MOS管电容的原理及优缺点
2024-09-01模拟IC电路设计中，会经常用到电容。芯片内部的电容一般使用金属当作上下基板，但是这种金属电容缺点是消耗面积太大。为了作为替代，在一些对电容要求不是很高的电路中，有人就想到了MOS管。 确实，MOS管作为电容，相比使用金属电容来讲，同样容值要求下，可以节省不少面积。那么电子网就来说下MOS管电容的原理及优缺点。 MOS管电容的原理 MOS管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。 以下图的NMOS管为例。 Figur
HT7179 12V升24V内置MOS大电流升压IC解决方案
2024-08-12在很多电子产品设计与应用中经常会涉及到升压电路的设计，对于较大的功率输出，比如70W以上的DC-DC升压电路，由于专用升压芯片封装散热的局限性，导致内部开关管的功率受到限制，很难做到集成MOS开关管的大功率升压转换IC。尤其内置MOS管的同步升压芯片在大功率应用更是如此；又或者芯片的价格昂贵，在一般民用消费电子产品应用时受到很大限制。所以传统70W以上的DC-DC升压电路基本上都是采用控制器外接开关管的Boost升压结构。但是这种升压电路也有很多弊端：外围电路复杂、PCB空间大、布局布线要求高
揭开mos管损坏之谜，看完觉得太值了！
2024-08-11第一种：雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 第二种：器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。 直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热 导通电阻RDS(on)