标题：Rohm RGS00TS65DHRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N技术与应用方案介绍 Rohm RGS00TS65DHRC11是一款高性能的半导体IGBT，其TRNCH FIELD技术使其在650V和88A的规格下表现出色。这款半导体器件具有高耐压、大电流和高效率等特点，适用于各种电源和电机控制应用。 技术特点： * 采用了TRNCH FIELD技术，提高了器件的导通能力和热稳定性，减少了开关损耗。 * 采用了TO247N封装，具有高散热性能，
标题：Rohm品牌RGCL80TK60GC11半导体IGBT TRNCH FIELD 600V 35A TO3PFM的技术与方案介绍 Rohm品牌RGCL80TK60GC11半导体IGBT，以其TRNCH FIELD技术，实现了600V、35A的高性能输出。这款产品广泛应用于各类电子设备中，如变频器、UPS、风能、太阳能等，为设备提供稳定的能源转换和传输。 技术特点： 1. 高压能力：600V的电压承受能力使其能够适应各种复杂的工作环境。 2. 高效输出：35A的强大电流输出，保证了设备在运行
标题：Rohm品牌RGW40TS65GC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N的技术与方案介绍 Rohm品牌RGW40TS65GC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N是一款高性能的半导体器件，采用TO-247封装，适用于各种电子设备中。该器件具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于高频、高温、高功率等应用场景。 技术特点： 1. 耐压值达到650V，电流容量为40A，适用于需要大电流传输的场合。 2. 采用TO-247封
Infineon英飞凌FS35R12W1T7B11BOMA1模块：低功耗易用IGBT MODULE参数及方案应用 一、简介 Infineon英飞凌科技公司是一家全球领先的半导体公司，其FS35R12W1T7B11BOMA1模块是一款低功耗、易用的绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块。这款模块具有卓越的性能和可靠性，适用于各种电源和电机控制应用。本文将详细介绍FS35R12W1T7B11BOMA1模块的参数及方案应用。 二、参数解析 1. 芯片类型：FS35R12W1T7B11BOMA1模块采用英飞
标题：Rohm RGT40NS65DGC9半导体IGBT技术及方案介绍 Rohm RGT40NS65DGC9半导体IGBT是一款具有TRENCH FIELD技术的650V 40A产品，具有出色的性能和广泛的应用领域。 首先，RGT40NS65DGC9采用了先进的TRENCH FIELD技术，这种技术通过在半导体材料上制作凹槽，有效地提高了导通状态下的电流能力和减少了开关损耗。这使得该器件在高温和高频率下仍能保持良好的性能。 其次，该器件采用了TO262封装，这种封装方式提供了良好的热导率和稳定
标题：Rohm品牌RGW80TS65CHRC11半导体IGBT 650V 81A TO247N的技术与方案介绍 RGW80TS65CHRC11是Rohm品牌的一款高性能半导体IGBT，其核心参数为650V，最大电流为81A，TO247N封装。这款产品在电力电子领域具有广泛的应用前景。 技术特点： 1. 该产品采用TO247N封装，具有体积小、散热效果好等特点，适合于各种大功率电子设备中应用。 2. 该产品的最大电流达到了81A，适合于需要大电流输出的电子设备中应用。 3. 该产品具有650V的