Samsung研发第二代3纳米工艺 SF3
2024-01-23据报道，韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片，称为 SF3。韩国知名权威新闻媒体《朝鲜日报》报道称，三星现已试产第二代 3 纳米工艺芯片 SF3。报道提到，三星预计在未来六个月内，该芯片的良率将超过 60%。 据《电子时报》报道，三星正在测试在 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性。这是三星使用 SF3 工艺的首款芯片，预计将设计用于可穿戴设备。公司很可能会在三星 Galaxy Watch 7 和其他设备发布之际，正式推出这款芯片。 SF3 工艺是一种 3 纳米级技
广州聚焦特色工艺半导体，推动集成电路产业高质发展
2024-01-171 月 13 日，广州市政府常务会通过《聚焦特色工艺半导体产业高质量发展措施》，旨在助推广州国家级集成电路产业发展“第三极”核心区建设。该措施包括提升产业创新力、培养产业生态、推广产业应用及强化业服务四个方面的十二项实施方案。 广州市政府对于新型工业化的领导思想是深入贯彻落实总书记重要论述，坚定支持产业发展，抓住集成电路的重大发展机遇，持续推进半导体与集成电路产业质量提升。政府将优化产业布局，利用自身优势，提升产业基础现代化和链条高级化水平。需要加大技术攻关的力度，实现自主可控，加速成果转化，
中国成熟工艺芯片已遭美国“眼红”电子
2024-01-16几年前，在国际地缘贸易关系的影响下，特别是EUV光刻机受严格管制之后，中国就开始转向成熟工艺段芯片工厂的建设，整体产能不断上升。1月11日消息，巴克莱分析师的一份研究报告指出，根据中国本土制造商的现有计划，中国的芯片产能将在五到七年内增长一倍以上。 无有独偶，近日，国际半导体产业协会（SEMI）也发布最新报告。该报告指出，尽管2023年全球半导体行业不太景气，但全球晶圆厂的产能仍然增长了5.5%，至每月2960万片晶圆，增速并没有因此而放缓。其中，中国大陆引领了这一波扩张趋势。 数据显示，20
MEMS工艺设计中如何实现应力匹配？
2024-01-16残余应力一直是MEMS技术发展中的一个重要问题，MEMS 器件中的残余应力会对器件的性能以及可靠性产生重要影响。根据其产生的原因，一般可将残余应力分为本征应力和热失配应力两大类。本征应力的成因比较复杂，主要是由于晶格失配引起的，而热失配应力是由于不同材料的热膨胀系数差异引起的。 什么是本征应力？ 本征应力又称内应力，是指在室温和零外加负载的情况下，材料自身内部存在的应力，分为压应力和张应力。在MEMS薄膜材料中，表现尤为突出，当内应力在薄膜材料厚度方向分布不均匀时，会产生应力梯度。当应力梯
射频器件概述和制造工艺
2024-01-11射频器件概述 射频器件是无线连接的核心，是实现信号发送和接收的基础零件，有着广泛的应用。 射频器件包括射频开关和LNA，射频PA，滤波器，天线Tuner和毫米波FEM等 其中滤波器占射频器件市场额约50%，射频PA占约30%，射频开关和LNA占约10%，其他占约10%。 可以看到，滤波器和PA是射频器件的重要部分，PA负责发射通道的信号放大，滤波器负责发射机接收信号的滤波。 目前，射频器件的主要市场如下： 手机和通讯模块市场，约占80%； WIFI路由器市场，约占9%； 通讯基站市场，约占9%
一种基于自动化激光的工艺可大批量生产空心光纤开发
2024-01-11近日，英国赫瑞瓦特大学（Heriot-Watt University）的研究助理Calum Ross博士获得了近100万英镑的奖金，用于开发一种基于激光的工艺，该工艺可用于大规模制造超高速空心光纤，这种光纤最终可能取代传统的电信网络。 据悉，历经两年的努力，Calum Ross博士成功地开发出了一种自动化工艺，使得空心光纤的大规模生产成为可能。这一创新将为光纤通信、传感器和光学器件等领域带来革命性的影响。 这笔近100万英镑的奖金来自英国研究与创新（UKRI）的未来领袖奖学金计划，旨在表彰和激
台积电第二代3nm工艺产能颇受客户欢迎，预计今年月产量达10万片
2024-01-06据韩国媒体The Elec报道，英伟达（NVIDIA）、AMD、高通（Qualcomm）及联发科（MediaTek）等厂商将于此次年度向台积电订购第二代3nm制程产品。报告指明，至2024年末，台积电3nm工艺产能利用率将提高至80%。 据悉，台积电自2022年12月份起开始量产3nm工艺，然而由于成本考量，第一代3纳米工艺仅由苹果使用。其他如联发科、高通等公司则选择了4nm工艺。然而，今年在研发成本较低的情况下，这些公司将订购成本效益更高的第二代3纳米工艺（N3E），预计将提升台积电3高端工
台积电3nm工艺预计2024年产量达80%
2024-01-052022年底，台积电启动3nm量产，预计2023年下半年苹果A17 Pro和M3系列产品率先采用。据最新报道，2024年台积电最先进制程将得到更加充分应用，年底前预计达到80%的产能水平，除了苹果外，其他厂商对3nm芯片的需求也逐渐增加。 据悉，2024年台积电的第二代3nm工艺（称为N3E）有望得到更广泛运用。此前只有苹果有能力订购第一代N3B高端晶圆。经过解决工艺难题及提升产量后，台积电推出经济实惠的3nm版型，吸引更多企业采用。 据报道，高通预期在新款骁龙8 Gen 4 SoC中导入N3
3D结构光工艺及构成拆解方案
2024-01-03无论是结构光、TOF还是双目立体成像方案，主要的硬件包括红外光发射器、红外光摄像头、可见光摄像头和图像处理芯片四部分，红外摄像头需要特制的窄带滤色片，另外结构光方案还需要在发射端添加光学棱镜与光栅，双目立体成像多一颗红外光摄像头。要了解他们涉及的工艺，首先就要对每一部分的功能和构成做深入了解。我们以结构光为例，对每一部分的构成进行拆解。 1 红外发射器 红外光发射部分是整个3D视觉重要的组件之一，用于发射经过特殊调制的不可见红外光至拍摄物体，其发射图像的质量对整个识
MEMS工艺的部分关键技术
2024-01-01MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的系统的统称。 是利用微细加工技术，将机械零零件、电子电路、传感器、执行机构集成在一块电路板上的高附加值元件。 MEMS工艺 MEMS工艺以成膜工序、光刻工序、蚀刻工序等常规半导体工艺流程为基础。 下面介绍MEMS工艺的部分关键技术。 晶圆 SOI晶圆 SOI是Silicon On Insulator的缩写，是指在氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆