FDS6900AS双N沟道MOSFET
2024-06-12FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8MOSFET和肖特基二极管,为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压。 FDS6900AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET,旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关(Q1)的设计特别强调降低开关损耗,而低端开关(Q2)则强调降低导通损耗。 Q2还包含使用飞兆的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 产品详情 PowerTrench#174;SyncFET#8482;