英特尔已悄悄将MRAM商用？三星紧追其后
2024-08-26在第 64 届国际电子器件会议 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 Magnetic Random Access Memory，磁阻式随机存取存储，是一种非易失性存储技术，从 1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，但平均能耗远低于 DRAM，而且基本上可以无限次地重复写入。 英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实现长达 10 年的记忆期，并可在